ترانزیستور اثر میدانی (یا به سمت اجمال FET) قطعهای سه پایانه است که باب موارد بسیاری بکار میرود و در
مقیاس وسیعی با ترانزیستور BJT رقابت میکند. اگرچه
اختلافات مهمی بین این تاخت سنخ قطعه وجود دارد اما تشابه بسیاری نیز بین آنها وجود
دارد که باب بخشهای بعد به آن استعاره خواهد شد.
افتراق درآغاز بین ا ین دو نوع ترانزیستور در آن است که
ترانزیستور BJT همانگونه که باب شکل (الف 1ـ1) نشان داده شد یک پاره کنترل جریان
است، در حالیکه ترانزیستور JFET همانگونه که در شکل (ب 1ـ1)
دیده میشود یک قطعه کنترل ولتاژ است. به بیان دیگر، جریان IC در شکل (الف 1ـ1) تابع مستقیم مقدار IB است. در FET جریان I تابعی از ولتاژ VGS است که مطابق
شکل (ب 1ـ1) به ورودی مدار اعمال میشود. باب هر حال جریان مدار خروجی با یک
پارامتر ورودی کنترل میشود. در یک حالت بوسیله جریان و باب دیگری بوسیله ولتاژ
اجرا شده.
عنوان : پاورپوینت اصول شبیه سازی
حوزه کاربرد: مهندسی صنایع، مهندسی کامپیوتر
تعداد اسلایدها: 46 اسلاید
پاورپوینت حاضر ضمن معرفی کلمه ها و مفهومها اصول شبیه سازی، به بیان مدل های آماری (شامل سیستم های صف، مدل های موجودی، پایایی و نگهداری پذیری و داده های محدود) پرداخته و در ادامه به تشریح توزیعهای گسسته (یکنواخت گسسته، برنویی، دوجمله ای، هندسی و پواسون) و پیوسته (یکنواخت، نمایی، گاما، مربع کای، ارلنگ، نرمال، بتا، ویبول، فیشر و مثلثی) می پردازد. در پایان نیز به شناسایی تابع پواسون و پخش های تجربی می پردازد و برای درک بهتر برخی توزیع های فوق، مثال نیز ارائه شده است.
فایل های عرضه شده از بهر این مجموعه با فرمت pptx باب اختیار شما قرار خواهد گرفت. در چهره خرید این پاورپوینت، علاوه حرف دسترسی به لینک دانلود، فایل توسط ایمیل بصورت پیوست (Attachment) نیز برای شما ارسال خواهد شد.