برچسب کامل - فروش فایل

مزیت کارایی مورد انتظار در یک CNTFET در افزاره حقیقی بنظر می آید که قابل دستیابی نباشد و به اندازه کافی از بهر CV/I پایین بیاید(6 برابر از بهر nFET و 14 برابر برای pFET) براساس شرایط غیر آرمان اولاد افزاره/مدار. این شرایط غیر ایده آل شامل مقاومت سری نواحی سورس/درین ناخالص سازی شده ، مقاومت سد شاتکی (SB) در خواهشگر ی فلز/CNT ، خزانه‌دار لبه خارجی گیت و خازن اتصالات داخلی. به هر حال نیاز ها از بهر توان مصرفی کمتر و فرکانس کارگر بالاتر باب هندسه افزاره و مقیاس بندی تغذیه با یک افزایش درخور باب دمای کایر برای افزاره نتیجه می شود.

در این تحقیق اهتمام داریم ساختار اخیر برای جمع کننده ها ارائه که دهیم که مبتنی برانزیستورها ی کربن نانوتیوب هستند. همچنین بهبودی های به‌دست‌آمده را حرف مدارهای جمع کننده ی حاضر باب تکنولوژی CMOS تشبیه نماییم.

چون زمینه ی ترانزیستورهای کربن نانوتیوب از اخیر ترین تکنولوژی های تحقیقاتی است لذا تحقیق در مور مدار های آنالوگ و دیجیتال مبتنی بر این ترانزیستورها کم انجام گردیده است. در واحد زمان ( 2010 گروهی پژوهشی در دانشگاه شهید بهشتی با سرپرستی دکتر کیوان ناوی اولین نمونه از تجمع عامل ار ارائه دادند. این جمع عامل ساختار ساده ای داشته که تنها از خازن و معکوس گر در ساختارش استفاده شده است. از جانب دیگر در سرعت و توان-تاخیر بهبودی حاصل شده است. باب سال 2011 محققان دانشگاه آزاده اسلامی نیز نمونه ی دیگری از این کارها را ارائه نمودند. باب این تحقیق مسئله ولتاژ آستانه ترانزیستورهای کربن نانوتیوب با استفاده از گیت های باژگونه کننده حل گردیده است. در سال 2012 نمونه ای عرضه شد که یک قید جمع کننده ی دینامیک بود از طرف دیگر ولتاژ آستانه ترانزیستورها سه سنخ مختلف تعیین گردید.

خرید این محصول

پورپوزال کامل طراحی مدار جمع کننده مبتنی بر ترانزیستورهای

Sam دوشنبه 19 مهر 1395 ساعت 18:22

0 نظر