فایل پاورپوینت ارائه کلاسی IGBT )Insulated gate bipolar transistor)

خرید این محصول

» :: فایل پاورپوینت عرضه کلاسی IGBT )Insulated gate bipolar transistor)

ترانزیستور دو قطبی حرف آستانه عایق‌شده یا IGBT (کوتاه شده عبارت انگلیسی Insulated gate bipolar transistor) جز نیمه هادی قدرت بوده و در درجه اول به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده میشود. این کلید صفت در بسیاری از لوازم مدرن از جمله خودروهای برقی، قطار، یخچال ها، تردمیل، دستگاه های تهویه مطبوع و حتی سیستم های استریو و تقویت کننده هااستفاده میشود. همچنین باب ساختن انواع اینورترها،ترانسهای جوش و UPS کاربرد دارد.

در فرکانسهای بالای کلیدزنی از یک ترانزیستور جانب بازدید سطح ولتاژ DC استفاده میشود. با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر دست‌نوشته ادا نمی‌کند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید میکند. به همین انگیزه در فرکانس کلیدزنی اسم از المان کم مصرف power MOSFET استفاده میشود. اما حرف بالا رفتن قدرت،تلفات آن ایضاً زیاد میشود. المان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای 2قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد.این قطعه جدید IGBT آوازه دارد. باب طی سالهای اخیر بدلیل ارزانی و مزایای این پاره از آن استفاده زیادی شده است.

IGBT (ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده) یک شقه هادی اخیر و کاملاً صنعتی است که از ترکیب 2 نوع ترانزیستور BJT و MOSFET ساخته شده است. بطوریکه از آگاهی ورودی شما یک MOSFET را میبینید و از نظر برون‌داد یک BJT. BJTها و MOSFETها دارای خصوصیاتی هستند که از نشانه نظرهایی یکدیگر را اتمام میکنند.

فهرست مطالب:

مقدمه

اساس IGBT

مزایا و بدی‌ها IGBT

تشبیه IGBT حرف MOSFET و BJT

تشابه های IGBT حرف سایر افزاره ها

Trade-off

ساختار IGBT

PT و NPT

مقایسه PT و NPT

حاصل IGBT

مشخصه خروجی

مشخصه انتقالی

نرم افزارهای شبیه سازی ادوات

توضیحاتی در خصوص Silvaco

مقالات خواندن شده

منبع‌ها

همچنین قلوه فایل های مربوط به پروژه اعم از فایل حقیقی پاورپوینت، رفرنس ها و مقالات و فایل اجرایی برنامه سیلواکو در پروژه قرار گرفته است.

خرید این محصول

جزوه کامل مدار مجتمع خطی CMOS - کارشناسی ارشد - استاد خانم دکتر بابایی

خرید این محصول

» :: دفترچه کامل دوایر فرضی موازی باخط استوا مجتمع خطی CMOS - کارشناسی ارشد - استاد خانم دکتر بابایی

فهرست مطالب

مقدمه ای باب مناسبت ترانزیستور ماسفت
بررسی ساختار ترانزیستور ماسفت
اعمال ولتاژ به گیت
روال عملکرد ترانزیستور MOSFET
معادله روانی ولتاژ ترانزیستور MOSFET
خازن های ترانزیستور MOS
آثار افت ابعاد ترانزیستور
مظهر اتصال تاخت ناحیه تهی Punch-through
پدیده کاهش ولتاژ آستانه به سمت صورت القایی توسط درین
اشباع شدن سرعت حامل ها و تأثیر آن بر برابری جریان
هدایت در پایین آستانه
احتساب تمامی مقدارها ترانزیستور MOS
سورس مشترک
تقویت عامل با بار دیودی
استحکام کننده حرف بار فعال
ساختار سورس مشترک با مقاومت RS باب گیت
محاسبه ROUT
درین مشترک
گیت مشترک
احتساب بهره ولتاژ و مقادیر مختلف مداری باب حالت های مختلف
بزک کاسکودی
منابع جریان
آبگینه روانی
آبگینه جریان کاسکودی
تقویت عامل تفاضلی
تجزیه مد تفاضلی
زوج تفاضلی حرف MOS
زوج تفاضلی حرف اصل جریان
تحلیل مد تفاضلی و مد مشترک
فیدبک

خلاصه، نکات کلیدی، راهنمای اسم بخش های ابهام‌آمیز و حل تمرینات حل نشده به پیوست در انتهای جزوه اضافه شده اند.

خرید این محصول